取消
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | OBSOLETE |
| 包装/箱 | 8-SMD, Flat Leads |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 P-Channel (Dual) |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 330mW |
| 漏源电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 3.2A |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 600pF @ 10V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 72mOhm @ 1.6A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 14nC @ 10V |
| 场效应管特性 | Logic Level Gate |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 1.2V @ 1mA |
| 供应商设备包 | VS-8 (2.9x1.5) |
