86-0755-82705566
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TP65H070G4QS-TR

零件编号 TP65H070G4QS-TR
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Transphorm
描述 650 V 29 A GAN FET
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 0
RoHS 状态 YES
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库存:
总数

数量

价格

总价

1

$9.0405

$9.0405

10

$7.7490

$77.4900

100

$6.4575

$645.7500

500

$5.6910

$2,845.5000

1000

$5.1240

$5,124.0000

2000

$4.7985

$9,597.0000

获取报价信息
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-PowerSFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C29A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
功耗(最大)96W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包TOLL
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8.4 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds600 pF @ 400 V

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