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TP65H050G4YS

零件编号 TP65H050G4YS
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Transphorm
描述 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
封装
包装 管子
数量 402
RoHS 状态 YES
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库存:
总数

数量

价格

总价

1

$15.0780

$15.0780

10

$13.2825

$132.8250

450

$10.4055

$4,682.4750

获取报价信息
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列SuperGaN®
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C35A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs60mOhm @ 22A, 10V
功耗(最大)132W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包TO-247-4L
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs24 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1000 pF @ 400 V

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