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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | OBSOLETE |
| 包装/箱 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | N and P-Channel |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 1.4W |
| 漏源电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 7.6A, 5.7A |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 17nC @ 4.5V |
| 场效应管特性 | Logic Level Gate |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 1.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | PowerPAK® SO-8 Dual |
