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SI7403BDN-T1-E3

零件编号 SI7403BDN-T1-E3
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Vishay / Siliconix
描述 MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 0
RoHS 状态 YES
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产品参数
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类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态OBSOLETE
包装/箱PowerPAK® 1212-8
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C8A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs74mOhm @ 5.1A, 4.5V
功耗(最大)3.1W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id1V @ 250µA
供应商设备包PowerPAK® 1212-8
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)2.5V, 4.5V
Vgs(最大)±8V
漏源电压 (Vdss)20 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs15 nC @ 8 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds430 pF @ 10 V

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