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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | OBSOLETE |
| 包装/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 P-Channel (Dual) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 漏源电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 5.8A |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 23mOhm @ 7.6A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 56nC @ 10V |
| 场效应管特性 | Logic Level Gate |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 8-SOIC |
