86-0755-82705566
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NVH4L030N120M3S

零件编号 NVH4L030N120M3S
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Sanyo Semiconductor/onsemi
描述 SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
封装
包装 管子
数量 430
RoHS 状态 YES
分享
库存:
总数

数量

价格

总价

1

$25.6410

$25.6410

30

$21.2625

$637.8750

120

$19.9290

$2,391.4800

510

$17.0100

$8,675.1000

获取报价信息
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C73A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs39mOhm @ 30A, 18V
功耗(最大)313W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.4V @ 15mA
供应商设备包TO-247-4L
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)18V
Vgs(最大)+22V, -10V
漏源电压 (Vdss)1200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs107 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2430 pF @ 800 V
资质AEC-Q101

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