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NTBG030N120M3S

零件编号 NTBG030N120M3S
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Sanyo Semiconductor/onsemi
描述 SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 763
RoHS 状态 YES
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库存:
总数

数量

价格

总价

1

$18.5010

$18.5010

10

$16.2960

$162.9600

100

$14.0910

$1,409.1000

800

$12.7785

$10,222.8000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C77A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs39mOhm @ 30A, 18V
功耗(最大)348W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.4V @ 15mA
供应商设备包D2PAK-7
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)18V
Vgs(最大)+22V, -10V
漏源电压 (Vdss)1200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs107 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2430 pF @ 800 V

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