取消
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Honeywell Aerospace |
| 系列 | HTMOS™ |
| 包裹 | 散装 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-CDIP Exposed Pad |
| 安装类型 | Through Hole |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| 功耗（最大） | 50W (Tj) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.4V @ 100µA |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 5V |
| Vgs（最大） | 10V |
| 漏源电压 (Vdss) | 55 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 290 pF @ 28 V |
