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G220P02D2

零件编号 G220P02D2
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Goford Semiconductor
描述 MOSFET P-CH 20V 8A DFN2*2-6L
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 9000
RoHS 状态 YES
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库存:
总数

数量

价格

总价

3000

$0.0840

$252.0000

15000

$0.0840

$1,260.0000

30000

$0.0735

$2,205.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Goford Semiconductor
系列TrenchFET®
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱6-UDFN Exposed Pad
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C8A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs20mOhm @ 6A, 10V
功耗(最大)3.5W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id1.2V @ 250µA
供应商设备包6-DFN (2x2)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
Vgs(最大)±12V

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