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EPC2212

零件编号 EPC2212
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 EPC
描述 GANFET N-CH 100V 18A DIE
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 153697
RoHS 状态 YES
分享
库存:
总数

数量

价格

总价

1

$2.0895

$2.0895

10

$1.7640

$17.6400

100

$1.4175

$141.7500

500

$1.3965

$698.2500

2500

$1.3965

$3,491.2500

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产品参数
PDF(1)
PDF(2)
类型描述
制造商EPC
系列eGaN®
包裹卷带式 (TR)
产品状态NOT_FOR_NEW_DESIGNS
包装/箱Die
安装类型Surface Mount
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C18A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 3mA
供应商设备包Die
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
Vgs(最大)+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs4 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds407 pF @ 50 V
替代型号
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