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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 系列 | - |
| 包裹 | 散装 |
| 产品状态 | OBSOLETE |
| 包装/箱 | SP4 |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 输入 | Standard |
| 配置 | Half Bridge |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Vce(on)（最大值）@Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| NTC热敏电阻 | Yes |
| 供应商设备包 | SP4 |
| IGBT类型 | Trench Field Stop |
| 集电极电流 (Ic)（最大） | 100 A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200 V |
| 功率 - 最大 | 350 W |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 250 µA |
| 输入电容 (Cies) @ Vce | 5.34 nF @ 25 V |
